疾科技12月15日音问，IEDM 2024大会上，台积电初次披露了N2 2nm工艺的症结身手细节和机能目标：对照3nm，晶体管密度添加15％，一致功耗下机能擢升15％，一致机能下功耗低重24-35％。

　　新工艺还添加了NanoFlex DTCO(计划身手连结优化)，可能拓荒面积最幼化、能效巩固的更矮单位，或者机能最大化的更高单位。

　　另表另有第三代偶极子集成，包罗N型、P型，从而赞成六个电压阈值档(6-Vt)，限度200mV。

　　对照古代的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管可能正在0.5-0.6V的低电压下，得到明显的能效擢升，可能将频率擢升约莫20％，待机功耗低重约莫75％。

　　另表，台积电2nm还运用了全新的MOL中段工艺、BEOL后段工艺，电阻低重20％，能效更高。

　　值得一提的是，第一层金属层(M1)现正在只需一步蚀刻(1P1E)、一次EVU曝光即可竣工，大大低重了庞美丽、光罩数目。

　　针对高机能估计运用，台积电2nm还引入了超高机能的SHP-MiM电容，容量约莫每平方毫米200fF，可能得到更高的运转频率。

　　依据台积电的说法，28nm工艺此后，历经六代工艺改善，单元面积的能效比曾经擢升了高出140倍！